Microstrip attenuators are constructed using suspended absorbing elements (AE) based on distributed resistive structures that differ from AE with discrete film resistors manufactured according to P- or T-circuits in that they have increased broadband, low sensitivity to point defects and inhomogeneities, variation of technological parameters, greater reliability, and resistance to temperature influence. In this work, the simulation of microstrip attenuators for the attenuation range of 3-35 dB with suspended AE with dimensions of 2 × 2 × 0.5 mm and 1 × 1 × 0.25 mm based on distributed resistive structures is carried out. The influence of methods of AE mounting into the substrate of a microstrip line (with a resistive film down, up, into the hole), of conditions of its grounding determined by the number and diameter of the grounding elements, of thickness and dielectric constant of the AE substrate material, of its reverse side metallization area, as well as of contact geometry, of the resistive film topology and of attenuation magnitude on the attenuators’ frequency characteristics ( S 11, S 12 and voltage standing wave ratio) was investigated. The simulation results in the CST Studio Suite and Ansys HFSS software presented in the form of graphs have been analyzed and can be used to optimize the designs of microstrip attenuators, as well as of other devices with suspended elements in the considered mounting methods.
Микрополосковые аттенюаторы строятся с использованием навесных поглощающих элементов (ПЭ) на основе распределенных резистивных структур, отличающихся от ПЭ с дискретными пленочными резисторами, изготовленными по П- или Т-схемам, повышенной широкополосностью, малой чувствительностью к точечным дефектам и неоднородностям, разбросу технологических параметров, большей надежностью и устойчивостью к температурным воздействиям. В работе проведено моделирование микрополосковых аттенюаторов для диапазона ослаблений 3-35 дБ с навесными ПЭ, имеющими габариты 2 × 2 × 0,5 мм и 1 × 1 × 0,25 мм, на базе распределенных резистивных структур. Исследовано влияние способов монтажа ПЭ в подложку микрополосковой линии (резистивной пленкой вниз, вверх, в отверстие), условий их заземления, определяемых количеством и диаметром элементов заземления, толщины и диэлектрической проницаемости материала подложки ПЭ, площади металлизации ее обратной стороны, а также геометрии контактов, топологии резистивной пленки и ослабления на частотные характеристики ( S 11, S 21 и коэффициент стоячей волны по напряжению) аттенюаторов. Результаты моделирования в программах CST Studio Suite и Ansys HFSS, представленные в виде графиков, проанализированы и могут быть использованы для оптимизации конструкций микрополосковых аттенюаторов и других устройств с навесными элементами с учетом рассмотренных способов монтажа.<br />